產(chǎn)品名 | IRLR8726TRPBF | |
閾值電壓Vgs(th) | 2.35V@50μA | |
漏極電流Idss | 86A | |
FET類型 | N溝道 | |
包裝 | 剪切帶(CT) ,帶卷(TR) | |
不同 Id,Vgs時的 RdsOn(最大值) | 5.8毫歐@25A,10V | |
漏源極電壓(Vdss) | 30V | |
是否無鉛 | 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求 | |
系列 | HEXFET? | |
零件狀態(tài) | 在售 | |
漏源電壓(Vdss) | 30V | |
導通電阻Rds On(Max) | 4mΩ | |
功率(Max) | 75W | |
工作溫度(Tj) | -55°C~175°C | |
安裝類型 | 表面貼裝(SMT) |
產(chǎn)品名 | IRLR8726TRPBF | |
閾值電壓Vgs(th) | 2.35V@50μA | |
漏極電流Idss | 86A | |
FET類型 | N溝道 | |
包裝 | 剪切帶(CT) ,帶卷(TR) | |
不同 Id,Vgs時的 RdsOn(最大值) | 5.8毫歐@25A,10V | |
漏源極電壓(Vdss) | 30V | |
是否無鉛 | 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求 | |
系列 | HEXFET? | |
零件狀態(tài) | 在售 | |
漏源電壓(Vdss) | 30V | |
導通電阻Rds On(Max) | 4mΩ | |
功率(Max) | 75W | |
工作溫度(Tj) | -55°C~175°C | |
安裝類型 | 表面貼裝(SMT) |