產品分類 | MOS場效應管(單) Infineon IRF640NPBF | |
閾值電壓Vgs(th) | 4V@250μA | |
漏極電流Idss | 0.25mA | |
FET類型 | N溝道 | |
包裝 | 管件 | |
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值） | 150毫歐@11A，10V | |
漏源極電壓（Vdss） | 200V | |
是否無鉛 | 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求 | |
系列 | HEXFET? | |
零件狀態 | 在售 | |
漏源電壓(Vdss) | 200V | |
連續漏極電流Id@25℃ | 18A | |
導通電阻Rds On(Max) | 150mΩ | |
柵極電荷(Qg)(Max) | 67nC | |
輸入電容(Ciss)(Max) | 1160pF | |
功率(Max) | 150W | |
工作溫度(Tj) | -55°C~175°C | |
安裝類型 | 通孔(THT) | |
封裝/外殼 | SOT78，TO-220AB,SC-46 |
產品分類 | MOS場效應管(單) Infineon IRF640NPBF | |
閾值電壓Vgs(th) | 4V@250μA | |
漏極電流Idss | 0.25mA | |
FET類型 | N溝道 | |
包裝 | 管件 | |
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值） | 150毫歐@11A，10V | |
漏源極電壓（Vdss） | 200V | |
是否無鉛 | 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求 | |
系列 | HEXFET? | |
零件狀態 | 在售 | |
漏源電壓(Vdss) | 200V | |
連續漏極電流Id@25℃ | 18A | |
導通電阻Rds On(Max) | 150mΩ | |
柵極電荷(Qg)(Max) | 67nC | |
輸入電容(Ciss)(Max) | 1160pF | |
功率(Max) | 150W | |
工作溫度(Tj) | -55°C~175°C | |
安裝類型 | 通孔(THT) | |
封裝/外殼 | SOT78，TO-220AB,SC-46 |
